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BSS8402DW-7-F  与  BSS8402DW-7  区别

型号 BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7
唯样编号 A3-BSS8402DW-7-F A-BSS8402DW-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 Dual N & P-Channel 60 V 13.5 Ohm Surface Mount Enhancement MosFet - SOT-363 MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.35mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5Ω@50mA,5V -
漏源极电压Vds 60V,50V 60V,50V
Pd-功率耗散(Max) 200mW -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 7.5Ω@50mA,5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V,±20V -
典型关闭延迟时间 11ns,18ns -
正向跨导 - 最小值 0.08S,0.05S -
FET类型 - N+P-Channel
封装/外壳 SOT-363 SOT-363
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 115mA,130mA 115mA,130mA
系列 BSS84 -
通道数量 2Channel -
配置 Dual -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V -
长度 2.2mm -
典型接通延迟时间 7ns,10ns -
高度 1mm -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS8402DW-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-363 2.2mm

暂无价格 0 当前型号
BSS8402DW-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-363

暂无价格 0 对比

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