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AO3407  与  DMP3099L-7  区别

型号 AO3407 DMP3099L-7
唯样编号 A3-AO3407 A36-DMP3099L-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMP3099L Series 30 V 65 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 65 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ@10V 65mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 5ns
Rds On(Max)@4.5V 87mΩ -
Qg-栅极电荷 - 11nC
Qgd(nC) 2.2 -
栅极电压Vgs 20V 1V
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 SOT23-3 SOT-23
连续漏极电流Id -4.1A 3.8A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 520 -
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 15ns
Schottky Diode No -
Trr(ns) 11 -
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.08W
Qrr(nC) 5.3 -
VGS(th) -2.5 -
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - DMP3099
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 563pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.2nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 4.8ns
Coss(pF) 100 -
Qg*(nC) 4.6 -
库存与单价
库存 0 60,523
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
140+ :  ¥0.3705
200+ :  ¥0.2745
1,500+ :  ¥0.2385
3,000+ :  ¥0.2115
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120: ¥0.4394
500: ¥0.3991
2,500: ¥0.3705
5,000: ¥0.3458
9,096 对比

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