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ZXMP3F30FHTA  与  NTR4171PT1G  区别

型号 ZXMP3F30FHTA NTR4171PT1G
唯样编号 A-ZXMP3F30FHTA A-NTR4171PT1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3 mm
正向跨导-最小值 - 7 S
Rds On(Max)@Id,Vgs - 75mΩ@2.2A,10V
上升时间 - 16 ns
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 370 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±12V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 7 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.8A(Ta) 2.2A(Ta)
配置 - Single
长度 - 2.9 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
下降时间 - 22 ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 720pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 250µA
高度 - 0.94 mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 950mW(Ta) 480mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 80mΩ@2.5A,10V -
典型关闭延迟时间 - 32 ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - NTR4171P
通道数量 - 1 Channel
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 720pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.6nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 9 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.6nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMP3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
4,436 对比
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
200: ¥0.946
1,500: ¥0.8228
1,899 对比
RSR025P03TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT3

暂无价格 0 对比
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 0 对比
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

暂无价格 0 对比

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