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ZXMP10A18KTC  与  SPD15P10PLGBTMA1  区别

型号 ZXMP10A18KTC SPD15P10PLGBTMA1
唯样编号 A-ZXMP10A18KTC A-SPD15P10PLGBTMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 100 V 0.15 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - DPAK MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 128W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@2.8A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 2.17W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1490pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.9A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 1.54mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 62nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1055pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26.9nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 200 毫欧 @ 11.3A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 15A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMP10A18KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
SPD15P10PLGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD15P10PL G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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SPD15P10PLGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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