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ZXMN6A08E6QTA  与  ZXMN6A08E6TA  区别

型号 ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6TA
唯样编号 A-ZXMN6A08E6QTA A-ZXMN6A08E6TA
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 N-Channel 60 V 0.08 Ohm Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ 80mΩ@4.8A,10V
上升时间 2.1ns -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 8.8W 1.1W(Ta)
Qg-栅极电荷 5.8nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
典型关闭延迟时间 12.3ns -
正向跨导 - 最小值 6.6S -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-26-6 SOT-23
连续漏极电流Id 2.5A 3.5A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 ZXMN6 -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 459pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.8nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 4.6ns -
典型接通延迟时间 2.6ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26-6

暂无价格 0 当前型号
ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥2.288 

阶梯数 价格
30: ¥2.288
100: ¥1.826
750: ¥1.628
1,500: ¥1.54
3,000: ¥1.463
5,138 对比
ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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