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ZXMN2A01FTA  与  NDS331N  区别

型号 ZXMN2A01FTA NDS331N
唯样编号 A-ZXMN2A01FTA A36-NDS331N
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 Single N-Channel 20 V 0.5 W 5 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta) 500mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 120mΩ@4A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 303 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 3 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.9A(Ta) 1.3A(Ta)
驱动电压 2.5V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 162pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 162pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 45,146
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.0516
200+ :  ¥0.7249
1,500+ :  ¥0.6589
3,000+ :  ¥0.616
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN2A01FTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
NDS331N ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SuperSOT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.0516 

阶梯数 价格
50: ¥1.0516
200: ¥0.7249
1,500: ¥0.6589
3,000: ¥0.616
45,146 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥0.8492 

阶梯数 价格
60: ¥0.8492
200: ¥0.5852
26,371 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
19,416 对比
NDS331N ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SuperSOT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.66 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.66
6,000: ¥0.6435
15,000: ¥0.6274
15,000 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
8,830 对比

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