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ZXMC6A09DN8TA  与  BSO615CGXUMA1  区别

型号 ZXMC6A09DN8TA BSO615CGXUMA1
唯样编号 A-ZXMC6A09DN8TA A-BSO615CGXUMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC MOSFET N/P-CH 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SO -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 3.9A,3.7A -
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.8W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 45mΩ@8.2A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1407pF @ 40V -
FET类型 N+P-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 24.2nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

8-SO

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BSO615CGXUMA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

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