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ZXM61P03FTA  与  IRLML5203TRPBF  区别

型号 ZXM61P03FTA IRLML5203TRPBF
唯样编号 A-ZXM61P03FTA A-IRLML5203TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXM61P03F 30 V 0.35 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 350mΩ@600mA,10V 98mΩ@3A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta) 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.1A 3A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 140pF @ 25V 510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXM61P03FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

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Micro3™/SOT-23

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