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SUP50020E-GE3  与  IRFB7730PBF  区别

型号 SUP50020E-GE3 IRFB7730PBF
唯样编号 A-SUP50020E-GE3 A-IRFB7730PBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 2.6 mOhm 407 nC 375 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.6mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 375W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 246A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 13660pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 407nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 13660pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 407nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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