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STP100N10F7  与  TK46E08N1,S1X  区别

型号 STP100N10F7 TK46E08N1,S1X
唯样编号 A-STP100N10F7 A-TK46E08N1,S1X
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N CH 100V 80A TO-220 MOSFET N-CH 80V 80A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 80 V
Pd-功率耗散(Max) - 103W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8.4 毫欧 @ 23A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2500 pF @ 40 V
Vgs(th) - 4V @ 500uA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 37 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220 TO-220
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 80A(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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阶梯数 价格
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