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STGW20H60DF  与  IKW20N60T  区别

型号 STGW20H60DF IKW20N60T
唯样编号 A-STGW20H60DF A3f-IKW20N60T
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 40A 167W TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
栅极—射极漏泄电流 - 100nA
功率 - 166W
宽度 - 5.3mm
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
栅极/发射极最大电压 - ±20V
封装/外壳 SOT-23-5 Tube
工作温度 - -40°C ~ 175°C
配置 - Single
系列 - TRENCHSTOP
在25 C的连续集电极电流 - 40A
长度 - 15.9mm
集电极—射极饱和电压 - 1.5V
高度 - 20.95mm
库存与单价
库存 0 240
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGW20H60DF STMicro  数据手册 IGBT晶体管

SOT-23-5

暂无价格 0 当前型号
IKW20N60T Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKW20N60TFKSA1_166W Tube -40°C ~ 175°C

暂无价格 240 对比
IRG4PC30SPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 100W TO-247AC

暂无价格 0 对比
IRG4PC30FDPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 100W TO-247AC

暂无价格 0 对比
IKW20N60TFKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IKW20N60T_TO-247-3

暂无价格 0 对比
IKW20N60T Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKW20N60TFKSA1_166W Tube -40°C ~ 175°C

暂无价格 0 对比

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