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STF24N60DM2  与  IPA60R190C6XKSA1  区别

型号 STF24N60DM2 IPA60R190C6XKSA1
唯样编号 A-STF24N60DM2 A-IPA60R190C6XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 18A TO220 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 34W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-220FP-3 TO-220-3 整包
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 630uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 9.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20.2A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF24N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 当前型号
R6024KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 74W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 149 对比
R6024KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 74W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

¥13.3962 

阶梯数 价格
20: ¥13.3962
50: ¥13.1471
60 对比
R6024KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 74W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比
SPA20N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA20N60C3XKSA1_20.7A 190mΩ ±20V 34.5W PG-TO220-3 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPA60R190C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R190C6_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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