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STD6NF10T4  与  IRFR18N15DPBF  区别

型号 STD6NF10T4 IRFR18N15DPBF
唯样编号 A-STD6NF10T4 A-IRFR18N15DPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 6A DPAK Single N-Channel 150 V 110 W 28 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 125mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 18A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 43nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 900pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 43nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

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