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STD12N50DM2  与  IPD50R380CE  区别

型号 STD12N50DM2 IPD50R380CE
唯样编号 A-STD12N50DM2 A-IPD50R380CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ
上升时间 - 5.6ns
Qg-栅极电荷 - 24.8nC
Rth - 1.71K/W
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
封装/外壳 TO-252-3 DPAK (TO-252)
连续漏极电流Id - 9.9A
工作温度 - -55°C~150°C
配置 - Single
Ptot max - 73.0W
长度 - 6.5mm
QG - 24.8nC
下降时间 - 8.6ns
高度 - 2.3mm
Budgetary Price €€/1k - 0.29
Moisture Level - 3
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 98W
典型关闭延迟时间 - 35ns
FET类型 - N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
通道数量 - 1Channel
系列 - IPD50R380
典型接通延迟时间 - 7.2ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD12N50DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD50R380CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50R380CEATMA1_98W 380mΩ 500V 9.9A DPAK (TO-252) N-Channel 2.5V,3.5V -55°C~150°C

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