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STB80NF10T4  与  IRF3710STRLPBF  区别

型号 STB80NF10T4 IRF3710STRLPBF
唯样编号 A-STB80NF10T4 A36-IRF3710STRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 23mΩ@28A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 200W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 57A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3130pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3130pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 22
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥6.38
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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180: ¥29.6007
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800: ¥18.9554
0 对比

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