首页 > 商品目录 > > > > STB75NF75LT4代替型号比较

STB75NF75LT4  与  IRFS3607TRLPBF  区别

型号 STB75NF75LT4 IRFS3607TRLPBF
唯样编号 A-STB75NF75LT4 A36-IRFS3607TRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC 140 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.34mΩ
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 140W
Qg-栅极电荷 - 56nC
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 80A
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 363
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥5.368
100+ :  ¥4.301
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IRFS3607TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK 10mm

¥5.368 

阶梯数 价格
10: ¥5.368
100: ¥4.301
363 对比
PSMN012-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN012-80BS_SOT404

¥6.7363 

阶梯数 价格
210: ¥6.7363
400: ¥5.7087
800: ¥5.2373
0 对比
IRFS3607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1407STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比
IRF3007SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售