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STB30N65M5  与  IPB60R099CPAATMA1  区别

型号 STB30N65M5 IPB60R099CPAATMA1
唯样编号 A-STB30N65M5 A-IPB60R099CPAATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 255W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2800pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-263-3 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.2mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
工作温度 - -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 105 毫欧 @ 18A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 31A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB30N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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