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STB20NM60T4  与  SPB17N80C3  区别

型号 STB20NM60T4 SPB17N80C3
唯样编号 A-STB20NM60T4 A36-SPB17N80C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 290mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 227W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 TO-263
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 17A
系列 - CoolMOS™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2300pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 177nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 48
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥10.78
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