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STB160N75F3  与  IRF2805STRLPBF  区别

型号 STB160N75F3 IRF2805STRLPBF
唯样编号 A-STB160N75F3 A-IRF2805STRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK N-Channel 55 V 4.7 mOhm 200 W Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-262
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.7mΩ@104A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 200W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 135A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5110pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5110pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
BUK9606-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-75B_SOT404

¥15.0639 

阶梯数 价格
210: ¥15.0639
400: ¥12.766
800: ¥11.7119
0 对比
IRF1405STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
AUIRFS3207Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

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D2PAK(TO-263)

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