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SPD15P10PGBTMA1  与  ZXMP10A16KTC  区别

型号 SPD15P10PGBTMA1 ZXMP10A16KTC
唯样编号 A-SPD15P10PGBTMA1 A-ZXMP10A16KTC
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 128W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 2.15W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 235mΩ@2.1A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1280pF @ 25V 717 pF @ 50 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 16.5 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1.54mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 3A(Ta)
驱动电压 - 6V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 240 毫欧 @ 10.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPD15P10PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD15P10P G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥3.817 

阶梯数 价格
20: ¥3.817
100: ¥2.937
1,250: ¥2.563
2,500: ¥2.409
20,965 对比
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥1.881 

阶梯数 价格
30: ¥1.881
100: ¥1.452
1,250: ¥1.254
2,500: ¥1.188
5,617 对比
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥1.2455 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.2455
12,500: ¥1.1532
0 对比
ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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