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SISA88DN-T1-GE3  与  RH6R025BHTB1  区别

型号 SISA88DN-T1-GE3 RH6R025BHTB1
唯样编号 A-SISA88DN-T1-GE3 A33-RH6R025BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 HSMT8
连续漏极电流Id 16.2A(Ta),40.5A(Tc) 25A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.7 mOhms @ 10A,10V 60mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 30V 150V
Pd-功率耗散(Max) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) 59W
Vgs(最大值) +20V,-16V -
Vgs(th) 2.4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥11.7002
50+ :  ¥6.7077
100+ :  ¥6.0849
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SISA88DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK®1212-8

暂无价格 0 当前型号
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HSMT8

¥10.0366 

阶梯数 价格
1: ¥10.0366
100: ¥5.0183
100 对比
RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥11.7002 

阶梯数 价格
20: ¥11.7002
50: ¥6.7077
100: ¥6.0849
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