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SIHP065N60E-GE3  与  FCP067N65S3  区别

型号 SIHP065N60E-GE3 FCP067N65S3
唯样编号 A-SIHP065N60E-GE3 A-FCP067N65S3
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 312W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 57mΩ 67 毫欧 @ 22A,10V
上升时间 46ns -
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 250W -
Qg-栅极电荷 98nC -
栅极电压Vgs 3V ±30V
典型关闭延迟时间 54ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220AB-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 40A 44A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 E -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 13ns -
典型接通延迟时间 28ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 4.4mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3090pF @ 400V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 78nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP065N60E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

40A 250W 57mΩ 600V 3V TO-220AB-3 -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
FCP067N65S3 ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 650V 44A(Tc) ±30V 67 毫欧 @ 22A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比
FCP067N65S3 ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 650V 44A(Tc) ±30V 67 毫欧 @ 22A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比

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