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SIHG17N80E-GE3  与  R6520KNZ4C13  区别

型号 SIHG17N80E-GE3 R6520KNZ4C13
唯样编号 A-SIHG17N80E-GE3 A33-R6520KNZ4C13
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 20A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 231W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 290mΩ@8.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 208W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1550pF @ 25V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
连续漏极电流Id 15A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 5V @ 630?A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 205 毫欧 @ 9.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 650V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2408pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 122nC @ 10V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
库存与单价
库存 25 30
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥65.3903
5+ :  ¥35.5316
10+ :  ¥29.8588
30+ :  ¥26.0738
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHG17N80E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 800V 15A(Tc) ±30V 208W(Tc) 290mΩ@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 25 当前型号
R6520KNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TO-247

¥65.3903 

阶梯数 价格
3: ¥65.3903
5: ¥35.5316
10: ¥29.8588
30: ¥26.0738
30 对比
STW19NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
SPW16N50C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
STW19NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
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SPW16N50C3_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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