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SIHG17N80E-GE3  与  IPW60R230P6  区别

型号 SIHG17N80E-GE3 IPW60R230P6
唯样编号 A-SIHG17N80E-GE3 A-IPW60R230P6
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 290mΩ@8.5A,10V 230mΩ
Rth - 0.99K/W
栅极电压Vgs ±30V 3.5V,4.5V
RthJA max - 62.0K/W
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
连续漏极电流Id 15A(Tc) 16.8A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55.0°C
配置 - Single
Ptot max - 126.0W
长度 - 16.13mm
QG - 31.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2408pF @ 100V -
高度 - 21.1mm
Budgetary Price €€/1k - 0.98
漏源极电压Vds 800V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 208W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - THT
通道数量 - 1Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 122nC @ 10V -
库存与单价
库存 25 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHG17N80E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 800V 15A(Tc) ±30V 208W(Tc) 290mΩ@8.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 25 当前型号
R6520KNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TO-247

¥65.3903 

阶梯数 价格
3: ¥65.3903
5: ¥35.5316
10: ¥29.8588
30: ¥26.0738
30 对比
STW19NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
SPW16N50C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW16N50C3FKSA1_500V 16A 280mΩ 20V 160W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
STW19NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
SPW16N50C3FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW16N50C3_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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