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SI4840BDY-T1-GE3  与  RS6G100BGTB1  区别

型号 SI4840BDY-T1-GE3 RS6G100BGTB1
唯样编号 A-SI4840BDY-T1-GE3 A-RS6G100BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 40 V 0.009 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ 3.4mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 3V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),6W(Tc) 59W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150℃
连续漏极电流Id 19A 100A
系列 SI4 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
2,500+ :  ¥4.504
1+ :  ¥10.1972
100+ :  ¥5.0986
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4840BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 19A 9mΩ 3V

¥4.504 

阶梯数 价格
2,500: ¥4.504
0 当前型号
FDS4470 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

12.5A(Ta) +30V,-20V 2.5W(Ta) 9mΩ@12.5A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 12.5A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
AO4484L AOS 功率MOSFET

10A(Ta) N-Channel ±20V 10 mΩ @ 10A,10V 8-SOIC 1.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 40V

暂无价格 0 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

¥14.7378 

阶梯数 价格
20: ¥14.7378
50: ¥10.1957
100: ¥9.6304
300: ¥9.2566
500: ¥9.18
1,000: ¥9.1225
1,604 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

暂无价格 160 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

暂无价格 100 对比

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