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SI4488DY-T1-E3  与  FDS86252  区别

型号 SI4488DY-T1-E3 FDS86252
唯样编号 A-SI4488DY-T1-E3 A-FDS86252
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 2.5W(Ta),5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 50 mOhms @ 5A,10V 55 毫欧 @ 4.5A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 1.56W(Ta) -
Vgs(th) 2V @ 250uA(最小) -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC
连续漏极电流Id 3.5A(Ta) 4.5A(Ta)
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 955pF @ 75V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4488DY-T1-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

3.5A(Ta) N-Channel 50 mOhms @ 5A,10V 1.56W(Ta) 8-SOIC -55℃~150℃ 150V

暂无价格 0 当前型号
FDS86252 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55 毫欧 @ 4.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) N-Channel 150V 4.5A(Ta) 8-SOIC

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