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SI2333DDS-T1-GE3  与  DMP1045U-7  区别

型号 SI2333DDS-T1-GE3 DMP1045U-7
唯样编号 A-SI2333DDS-T1-GE3 A36-DMP1045U-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 28mΩ@5A,4.5V 31mΩ@4A,4.5V
上升时间 - 23.3 ns
漏源极电压Vds -12V 12V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta),1.7W(Tc) 800mW(Ta)
Qg-栅极电荷 - 15.8 nC
栅极电压Vgs ±8V ±8V
典型关闭延迟时间 - 91.2 ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -6A 5.2A
系列 SI DMP
配置 - Single
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1275pF @ 6V 1357pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 8V 15.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V 1.8V,4.5V
下降时间 - 106.9 ns
典型接通延迟时间 - 15.7 ns
库存与单价
库存 50 5,193
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.5889
200+ :  ¥0.3809
1,500+ :  ¥0.3302
3,000+ :  ¥0.2925
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2333DDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±8V 1.2W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -12V -6A 28mΩ@5A,4.5V

暂无价格 50 当前型号
DMP1045U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 31mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 12V 5.2A

¥0.5889 

阶梯数 价格
90: ¥0.5889
200: ¥0.3809
1,500: ¥0.3302
3,000: ¥0.2925
5,193 对比
DMP1045U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 31mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 12V 5.2A

暂无价格 0 对比
DMP1045U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 31mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 12V 5.2A

暂无价格 0 对比

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