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SI2307CDS-T1-GE3  与  NTR4502PT1G  区别

型号 SI2307CDS-T1-GE3 NTR4502PT1G
唯样编号 A-SI2307CDS-T1-GE3 A36-NTR4502PT1G
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 880mΩ 200mΩ@-1.95A,-10V
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta),1.8W(Tc) 400mW(Tj)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.7A -1.13A
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.2nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 15,160 35,808
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6534
200+ :  ¥0.5317
1,500+ :  ¥0.4849
3,000+ :  ¥0.4524
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.1W(Ta),1.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 30V 2.7A 880mΩ

暂无价格 15,160 当前型号
DMP3098L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 3.8A 1.08W 70mΩ@3.8A,10V 30V ±20V P-Channel

¥0.4654 

阶梯数 价格
110: ¥0.4654
200: ¥0.3016
1,500: ¥0.2613
65,872 对比
NTR4502PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 400mW(Tj) 200mΩ@-1.95A,-10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel -30V -1.13A

¥0.6534 

阶梯数 价格
80: ¥0.6534
200: ¥0.5317
1,500: ¥0.4849
3,000: ¥0.4524
35,808 对比
NTR4502PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 400mW(Tj) 200mΩ@-1.95A,-10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel -30V -1.13A

暂无价格 18,000 对比
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
6,471 对比
ZXMP3A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 625mW(Ta) 210mΩ@1.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 1.6A

¥0.8448 

阶梯数 价格
60: ¥0.8448
200: ¥0.583
6,135 对比

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