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SI2301CDS-T1-GE3  与  DMG2301U-7  区别

型号 SI2301CDS-T1-GE3 DMG2301U-7
唯样编号 A-SI2301CDS-T1-GE3 A36-DMG2301U-7-1
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-Channel 20 V 80 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 112mΩ@2.8A,4.5V 130mΩ@2.8A,4.5V
漏源极电压Vds -20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 860mW(Ta),1.6W(Tc) 800mW(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -3.1A 2.7A
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 405pF @ 10V 608pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V 6.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
库存与单价
库存 601 15,025
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6762
200+ :  ¥0.2656
1,500+ :  ¥0.1917
3,000+ :  ¥0.1323
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±8V 860mW(Ta),1.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -20V -3.1A 112mΩ@2.8A,4.5V

暂无价格 601 当前型号
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV65XP_SOT23 P-Channel 0.48W 150℃ 12V,-0.65V -20V -2.8A

¥0.6677 

阶梯数 价格
10: ¥0.6677
100: ¥0.4946
1,000: ¥0.3834
1,500: ¥0.3143
3,000: ¥0.2781
15,378 对比
DMG2301U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 130mΩ@2.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.7A

¥0.6762 

阶梯数 价格
80: ¥0.6762
200: ¥0.2656
1,500: ¥0.1917
3,000: ¥0.1323
15,025 对比
DMP2225L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.08W(Ta) 110mΩ@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.6A

¥0.3885 

阶梯数 价格
130: ¥0.3885
200: ¥0.2903
1,500: ¥0.2511
3,000: ¥0.2228
5,060 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV65XP_SOT23 P-Channel 0.48W 150℃ 12V,-0.65V -20V -2.8A

¥0.3926 

阶梯数 价格
130: ¥0.3926
200: ¥0.2925
283 对比
DMG2301L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.5W(Ta) ±8V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 3A(Ta)

¥0.4654 

阶梯数 价格
110: ¥0.4654
200: ¥0.3016
264 对比

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