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SCT3120ALGC11  与  IPW60R165CPFKSA1  区别

型号 SCT3120ALGC11 IPW60R165CPFKSA1
唯样编号 A-SCT3120ALGC11 A-IPW60R165CPFKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3120AL Series 650 V 21 A 156 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 192W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 156mΩ@6.7A,18V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 103W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 100V
栅极电压Vgs +22V,-4V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id 21A(Tc) -
工作温度 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 790uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 3.33mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 460pF @ 500V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 18V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 165 毫欧 @ 12A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 21A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3120ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 0 当前型号
FCH170N60 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

22A(Tc) ±20V 227W(Tc) 170m Ohms@11A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 22A

暂无价格 0 对比
TK20N60W5,S1VF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 165W(Tc) TO-247 150°C(TJ) 600 V 20A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPW60R165CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R165CPFKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 21A 165mΩ 20V 192W N-Channel

暂无价格 0 对比
AOK27S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPW60R165CPFKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R165CP_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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