首页 > 商品目录 > > > > RXH125N03TB1代替型号比较

RXH125N03TB1  与  AO4722  区别

型号 RXH125N03TB1 AO4722
唯样编号 A-RXH125N03TB1 A-AO4722
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@12.5A,10V 14 mΩ @ 11.6A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1.7W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC
连续漏极电流Id 12.5A(Ta) 8.5A(Ta)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
栅极电荷Qg - 20nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.7nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4566 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.6699 

阶梯数 价格
80: ¥0.6699
200: ¥0.546
1,500: ¥0.4966
2,890 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 7 对比
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.7156 

阶梯数 价格
490: ¥1.7156
1,000: ¥1.35
1,500: ¥1.0558
3,000: ¥0.8235
0 对比
AO4722 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
IRF7811AVPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

5mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售