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RTQ045N03HZGTR  与  RQ6E045TNTR  区别

型号 RTQ045N03HZGTR RQ6E045TNTR
唯样编号 A-RTQ045N03HZGTR A-RQ6E045TNTR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 950mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 950mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 43mOhms@4.5A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 10V -
栅极电压Vgs - 1.5V@1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TSMT6(SC-95) TSOT-23-6
工作温度 150°C(TJ) 150℃(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 4.5A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 43 毫欧 @ 4.5A,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V ±12V
栅极电荷Qg - 10.7nC@4.5V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 4.5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.7nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTQ045N03HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT6(SC-95) 车规

暂无价格 0 当前型号
RQ6E045TNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150℃(TJ) 30V

¥1.974 

阶梯数 价格
80: ¥1.974
100: ¥1.6003
500: ¥1.5237
1,000: ¥1.4662
2,000: ¥1.4278
3,000 对比
RQ6E045TNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150℃(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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