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RTF025N03TL  与  DMN3067LW-7  区别

型号 RTF025N03TL DMN3067LW-7
唯样编号 A-RTF025N03TL A36-DMN3067LW-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 0.8 W 30 V 98 mOhm Surface Mount 2.5 V Drive MosFet - TUMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 67mΩ@2.5A,4.5V 67mΩ@2.5A,4.5V
上升时间 - 5.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 800mW(Ta) 500mW
Qg-栅极电荷 - 4.6nC
栅极电压Vgs 12V ±12V
典型关闭延迟时间 - 15ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TUMT SOT-323
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.5A 2.6A
系列 - DMN3067
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 10V 447pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.2nC @ 4.5V 4.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 - 6.1ns
典型接通延迟时间 - 3.8ns
库存与单价
库存 100 4,766
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥5.3039
100+ :  ¥3.0073
1,500+ :  ¥1.9066
3,000+ :  ¥1.4204
80+ :  ¥0.7139
200+ :  ¥0.5811
1,500+ :  ¥0.5291
3,000+ :  ¥0.494
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥5.3039 

阶梯数 价格
1: ¥5.3039
100: ¥3.0073
1,500: ¥1.9066
3,000: ¥1.4204
100 当前型号
DMN3067LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

¥1.1039 

阶梯数 价格
1: ¥1.1039
100: ¥0.7122
1,000: ¥0.5276
1,500: ¥0.4396
3,000: ¥0.3435
25,000 对比
DMN3067LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
4,766 对比
RTF015N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TUMT

¥0.8492 

阶梯数 价格
60: ¥0.8492
200: ¥0.5852
980 对比
RTF015N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TUMT

暂无价格 38 对比
DMN3067LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

暂无价格 0 对比

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