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RSS070P05HZGTB  与  RSH070P05TB1  区别

型号 RSS070P05HZGTB RSH070P05TB1
唯样编号 A-RSS070P05HZGTB A-RSH070P05TB1
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 SOP-8,VDSS=-45V,RDS(ON)=27mΩ,ID=±7.0A,PD=2W MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@7A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 45V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4100pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOP-8 8-SOP
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 27 毫欧 @ 7A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 45V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 47.6nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSS070P05HZGTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOP-8

暂无价格 0 当前型号
RSH070P05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOP

¥13.0992 

阶梯数 价格
20: ¥13.0992
50: ¥8.0109
100: ¥7.3785
500: ¥6.9569
801 对比
RSH070P05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOP

暂无价格 100 对比
RSH070P05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOP

暂无价格 0 对比

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