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RSQ020N03TR  与  DMN3033LDM-7  区别

型号 RSQ020N03TR DMN3033LDM-7
唯样编号 A-RSQ020N03TR A36-DMN3033LDM-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 33 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 134mΩ@2A,10V 33mΩ@6.9A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 600mW(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-6,TSOT-23-6 SOT-26
连续漏极电流Id 2A(Ta) 6.9A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.1nC @ 5V -
库存与单价
库存 100 9,200
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥5.3794
100+ :  ¥3.0502
1,500+ :  ¥1.9338
3,000+ :  ¥1.4407
80+ :  ¥0.6787
200+ :  ¥0.5538
1,500+ :  ¥0.5018
3,000+ :  ¥0.4706
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥5.3794 

阶梯数 价格
1: ¥5.3794
100: ¥3.0502
1,500: ¥1.9338
3,000: ¥1.4407
100 当前型号
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

¥0.6787 

阶梯数 价格
80: ¥0.6787
200: ¥0.5538
1,500: ¥0.5018
3,000: ¥0.4706
9,200 对比
AO6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥0.8613 

阶梯数 价格
60: ¥0.8613
200: ¥0.594
5,995 对比
ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-6

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.639
750: ¥1.463
1,500: ¥1.375
3,000: ¥1.32
5,981 对比
DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-26

¥0.9757 

阶梯数 价格
60: ¥0.9757
200: ¥0.6732
1,500: ¥0.6116
3,000: ¥0.572
5,914 对比
ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-6

¥1.936 

阶梯数 价格
30: ¥1.936
100: ¥1.551
750: ¥1.375
1,500: ¥1.309
3,000: ¥1.243
5,045 对比

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