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RSQ015N06HZGTR  与  RSQ015N06TR  区别

型号 RSQ015N06HZGTR RSQ015N06TR
唯样编号 A-RSQ015N06HZGTR A-RSQ015N06TR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 950mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 290mΩ@1.5A,10V
产品特性 车规 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 10V -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 TSMT6(SC-95) SOT-23-6,TSOT-23-6
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 1.5A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 290 毫欧 @ 1.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 110pF @ 10V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 600mW(Ta)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 10V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 2nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥4.0971
100+ :  ¥2.3231
1,500+ :  ¥1.4728
3,000+ :  ¥1.0973
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSQ015N06HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 当前型号
RSQ015N06TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥0.8453 

阶梯数 价格
180: ¥0.8453
500: ¥0.8453
1,000: ¥0.8453
1,795 对比
RSQ015N06TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥4.0971 

阶梯数 价格
1: ¥4.0971
100: ¥2.3231
1,500: ¥1.4728
3,000: ¥1.0973
100 对比
RSQ015N06TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 100 对比
RSQ015N06FRATR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

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