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RSD201N10TL  与  IRFR3410TRPBF  区别

型号 RSD201N10TL IRFR3410TRPBF
唯样编号 A-RSD201N10TL A-IRFR3410TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 N-Channel 100 V 39 mOhm 56 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 850mW(Ta),20W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 39mΩ@18A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2100pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 CPT3 D-Pak
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 31A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 46 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1690pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),110W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1690pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 20A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD201N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

暂无价格 0 当前型号
FDD3860 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK TO-252AA

暂无价格 67,500 对比
IRFR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 2,000 对比
AOD482 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.211 

阶梯数 价格
30: ¥2.211
100: ¥1.705
595 对比
BUK7240-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7240-100A_SOT428

¥7.9179 

阶梯数 价格
490: ¥7.9179
1,000: ¥6.1379
1,250: ¥5.0311
2,500: ¥4.6157
0 对比
IRFR3411 Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比

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