首页 > 商品目录 > > > > RS6L090BGTB1代替型号比较

RS6L090BGTB1  与  NTMFS5C645NLT3G  区别

型号 RS6L090BGTB1 NTMFS5C645NLT3G
唯样编号 A-RS6L090BGTB1 A-NTMFS5C645NLT3G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 90A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@90A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 73W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 99 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥12.884
100+ :  ¥6.442
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A

¥12.884 

阶梯数 价格
1: ¥12.884
100: ¥6.442
99 当前型号
IRF7855 Infineon  数据手册 功率MOSFET

9.4mΩ 60V SO-8 N-Channel 20V 8.7A

暂无价格 0 对比
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥2.42 

阶梯数 价格
30: ¥2.42
100: ¥2.024
482 对比
SIR186LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® SO-8 Single N-Channel 57W 4.4mΩ@15A,10V -55℃~150℃ ±20V 60V 80.3A

暂无价格 10 对比
IRF7855TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9.4mΩ@12A,10V N-Channel 60V 12A 8-SO

暂无价格 0 对比
NTMFS5H663NLT1G ON Semiconductor 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消