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RS6G100BGTB1  与  SIR422DP-T1-GE3  区别

型号 RS6G100BGTB1 SIR422DP-T1-GE3
唯样编号 A-RS6G100BGTB1 A36-SIR422DP-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@90A,10V 6.6mΩ@20A,10V
零件号别名 - SIR422DP-GE3
上升时间 - 84ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 59W 34.7W
Qg-栅极电荷 - 48nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 28ns
正向跨导 - 最小值 - 70S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SOIC-8
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 20.5A
系列 - SIR
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1785pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 11ns
典型接通延迟时间 - 19ns
库存与单价
库存 100 10,414
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥10.1972
100+ :  ¥5.0986
20+ :  ¥3.784
100+ :  ¥3.025
750+ :  ¥2.695
1,500+ :  ¥2.552
3,000+ :  ¥2.42
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 当前型号
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 9A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 17mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比
IRF7842 Infineon  数据手册 功率MOSFET

40V SO-8 5.9mΩ N-Channel 20V 14A

暂无价格 0 对比
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 40V

¥7.975 

阶梯数 价格
7: ¥7.975
100: ¥6.655
1,250: ¥6.039
2,500: ¥5.599
14,460 对比
SIR422DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel

¥3.784 

阶梯数 价格
20: ¥3.784
100: ¥3.025
750: ¥2.695
1,500: ¥2.552
3,000: ¥2.42
10,414 对比
SIR836DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21A(Tc) N-Channel 19 mOhms @ 10A,10V 3.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 40V

¥3.388 

阶梯数 价格
20: ¥3.388
100: ¥2.706
750: ¥2.42
1,500: ¥2.288
2,425 对比

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