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RS1E240GNTB  与  BSC0504NSI  区别

型号 RS1E240GNTB BSC0504NSI
唯样编号 A-RS1E240GNTB A-BSC0504NSI
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@24A,10V 4.7mΩ
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),27.4W(Tc) -
Ciss - 710.0pF
Rth - 4.2K/W
Coss - 250.0pF
栅极电压Vgs ±20V 1.2V,2V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count - 8.0Pins
封装/外壳 8-PowerTDFN SuperSO8
Mounting - SMD
工作温度 150°C(TJ) -55.0°C
连续漏极电流Id 24A(Ta) 72A
Ptot max - 30.0W
QG - 5.2nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.26
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥10.417
100+ :  ¥6.021
1,250+ :  ¥3.8173
2,500+ :  ¥2.7599
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