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RS1E240BNTB  与  BSZ0902NSIATMA1  区别

型号 RS1E240BNTB BSZ0902NSIATMA1
唯样编号 A-RS1E240BNTB A-BSZ0902NSIATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),48W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ@24A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),30W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1500pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 24A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.8 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 21A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E240BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 24A(Ta) ±20V 3W(Ta),30W(Tc) 3.2mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
BSC0904NSI Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0904NSIATMA1_30V 78A 3.7mΩ 20V 37W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSZ0902NSI Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0902NSIATMA1_30V 40A 2.3mΩ 20V 48W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
DMT34M1LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 42W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 100A(Tc)

暂无价格 0 对比
BSC0904NSIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0904NSI_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSZ0902NSIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0902NSI_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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