首页 > 商品目录 > > > > RQ6E030ATTCR代替型号比较

RQ6E030ATTCR  与  DMP3105LVT-7  区别

型号 RQ6E030ATTCR DMP3105LVT-7
唯样编号 A-RQ6E030ATTCR A36-DMP3105LVT-7-0
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 105 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 91mΩ@-3A,-10V 75mΩ@4.2A,10V
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 1.15W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SC-74,SOT-457 TSOT-26
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3A 3.9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 839pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19.8nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
库存与单价
库存 100 7,024
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥3.5444
100+ :  ¥2.0097
1,500+ :  ¥1.2742
3,000+ :  ¥0.9492
50+ :  ¥1.0494
200+ :  ¥0.8059
1,500+ :  ¥0.7
3,000+ :  ¥0.6089
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6E030ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

P-Channel -30V 91mΩ@-3A,-10V SC-74,SOT-457 1.25W ±20V -55°C~150°C 3A

¥3.5444 

阶梯数 价格
1: ¥3.5444
100: ¥2.0097
1,500: ¥1.2742
3,000: ¥0.9492
100 当前型号
DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.15W(Ta) 75mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 3.9A

¥1.0494 

阶梯数 价格
50: ¥1.0494
200: ¥0.8059
1,500: ¥0.7
3,000: ¥0.6089
7,024 对比
DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.15W(Ta) 75mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 3.9A

暂无价格 0 对比
DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.15W(Ta) 75mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 3.9A

暂无价格 0 对比
DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.15W(Ta) 75mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 3.9A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消