首页 > 商品目录 > > > > RQ3E180AJTB代替型号比较

RQ3E180AJTB  与  IRFH8324  区别

型号 RQ3E180AJTB IRFH8324
唯样编号 A-RQ3E180AJTB A-IRFH8324
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@18A,4.5V 6.3mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 3.6W
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),30W(Tc) -
栅极电压Vgs ±12V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 3.5nC
封装/外壳 8-PowerVDFN PQFN 5 x 6 E/G
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 18A(Ta),30A(Tc) 18A
工作温度 -55℃~150℃ -
Ptot max - 54.0W
QG - 14.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 11mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4290pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 4.5V -
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.23
RthJC max - 2.3K/W
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
460+ :  ¥5.7685
1,500+ :  ¥3.6573
3,000+ :  ¥2.6442
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥5.7685 

阶梯数 价格
460: ¥5.7685
1,500: ¥3.6573
3,000: ¥2.6442
0 当前型号
AON7538 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
2,500: ¥1.2405
5,000: ¥0.98
4,969 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.892 

阶梯数 价格
30: ¥1.892
100: ¥1.452
1,000: ¥1.21
2,000: ¥1.012
2,000 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比
RQ3E180AJTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥5.0021 

阶梯数 价格
30: ¥5.0021
50: ¥3.2868
100: ¥2.7215
340 对比
IRFH8324 Infineon  数据手册 通用MOSFET

PQFN5x6E/G

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售