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RQ3E160ADTB  与  RQ3E160ADTB1  区别

型号 RQ3E160ADTB RQ3E160ADTB1
唯样编号 A-RQ3E160ADTB A33-RQ3E160ADTB1
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@16A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-PowerVDFN -
连续漏极电流Id 16A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2550pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
库存与单价
库存 99 100
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税)
1+ :  ¥6.1823
100+ :  ¥3.5734
1,500+ :  ¥2.2655
3,000+ :  ¥1.638
60+ :  ¥2.8364
100+ :  ¥2.2615
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E160ADTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 16A(Ta) ±20V 2W(Ta) 4.5mΩ@16A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥6.1823 

阶梯数 价格
1: ¥6.1823
100: ¥3.5734
1,500: ¥2.2655
3,000: ¥1.638
99 当前型号
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V

¥1.287 

阶梯数 价格
40: ¥1.287
100: ¥0.9861
1,250: ¥0.8227
2,500: ¥0.7475
5,000: ¥0.6921
9,205 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
818 对比
RQ3E160ADTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

¥2.8364 

阶梯数 价格
60: ¥2.8364
100: ¥2.2615
100 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON7424 AOS 功率MOSFET

18A(Ta),40A(Tc) N-Channel ±20V 5.2 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(3x3) 3.1W(Ta),36W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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