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RQ3E120ATTB  与  AON6413  区别

型号 RQ3E120ATTB AON6413
唯样编号 A-RQ3E120ATTB A36-AON6413
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 363
宽度 2.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@-12A,-10V 8.5mΩ@10V
上升时间 30ns -
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 17mΩ
Qg-栅极电荷 62nC -
Qgd(nC) - 6
栅极电压Vgs ±20V 25V
Td(on)(ns) - 13
封装/外壳 HSMT DFN 5x6
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 12A -32A
配置 Single -
Ciss(pF) - 2142
长度 3mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 95ns -
Schottky Diode - No
高度 0.85mm -
Trr(ns) - 17.5
Td(off)(ns) - 34
漏源极电压Vds 39V -30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 48W
Qrr(nC) - 44.5
VGS(th) - -2.7
典型关闭延迟时间 140ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 RQ -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 10V -
典型接通延迟时间 20ns -
Coss(pF) - 474
Qg*(nC) - 18.5
库存与单价
库存 30 0
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥5.9019
100+ :  ¥3.1516
3,000+ :  ¥2.2786
暂无价格
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