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RH6L040BGTB1  与  BSZ100N06NS  区别

型号 RH6L040BGTB1 BSZ100N06NS
唯样编号 A-RH6L040BGTB1 A-BSZ100N06NS
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.1mΩ@40A,10V 10mΩ
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 59W 36W
Qg-栅极电荷 - 12nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
正向跨导 - 最小值 - 16S
典型关闭延迟时间 - 10ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT8 -
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 65A 40A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS5
长度 - 3.3mm
下降时间 - 2ns
典型接通延迟时间 - 6ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
840+ :  ¥4.3403
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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