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RF4C100BCTCR  与  SSM6J511NU,LF  区别

型号 RF4C100BCTCR SSM6J511NU,LF
唯样编号 A-RF4C100BCTCR A-SSM6J511NU,LF
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@10A,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V 12 V
Pd-功率耗散(Max) 2W -
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 9.1 毫欧 @ 4A,8V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3350 pF @ 6 V
Vgs(th) - 1V @ 1mA
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 47 nC @ 4.5 V
封装/外壳 DFN2020-8 6-UDFNB(2x2)
连续漏极电流Id 10A(Ta) 14A(Ta)
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
栅极电荷Qg 23.5nC@4.5V -
库存与单价
库存 96 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥4.6933
100+ :  ¥2.5062
3,000+ :  ¥1.812
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4C100BCTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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100: ¥1.6513
1,000: ¥1.2801
1,500: ¥1.0493
3,000: ¥0.9627
370 对比

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