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R6035VNXC7G  与  IPAN50R500CEXKSA1  区别

型号 R6035VNXC7G IPAN50R500CEXKSA1
唯样编号 A-R6035VNXC7G A-IPAN50R500CEXKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 17A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 28W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.095Ω@15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 81W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 433pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220FM TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 17A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18.7nC @ 10V
工作温度 - -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 500 毫欧 @ 2.3A,13V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11.1A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 13V
漏源电压(Vdss) - 500V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6035VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM

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