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R6030KNXC7  与  IPA65R125C7  区别

型号 R6030KNXC7 IPA65R125C7
唯样编号 A-R6030KNXC7 A-IPA65R125C7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 86W(Tc) -
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 125mΩ
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2350pF @ 25V -
RthJA max - 80.0K/W
栅极电压Vgs - 3V,4V
Special Features - highest performance
封装/外壳 TO-220FM TO-220 FullPAK
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55.0°C
连续漏极电流Id - 10A
QG (typ @10V) - 35.0 nC
Ptot max - 32.0W
长度 - 10.65mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 130 毫欧 @ 14.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
高度 - 16.15mm
Budgetary Price €€/1k - 2.04
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Moisture Level - NA
漏源极电压Vds - 650V
FET类型 N 通道 N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - THT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
RthJC max - 3.85 K/W
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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