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R6020ENX  与  STF24NM60N  区别

型号 R6020ENX STF24NM60N
唯样编号 A-R6020ENX A3-STF24NM60N
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mOhm MDmesh™ II Power MOSFET - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 196mΩ@10A,10V 190mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 50W(Tc) 30W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220FP
连续漏极电流Id 20A(Tc) 17A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 46nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 500 183,000
工厂交货期 3 - 5天 5 - 7天
单价(含税)
1+ :  ¥25.9989
100+ :  ¥13.8834
500+ :  ¥10.0377
暂无价格
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